ARM携手台积电打造多核10纳米FinFET测试芯片

2016年05月19日20:58:59 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

推动前沿移动计算未来

2016年5月19日，北京讯——ARM今日发布了首款采用台积电公司（TSMC）10纳米FinFET工艺技术的多核 64位 ARM^®v8-A 处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶尖智能手机计算芯片的16纳米FinFET+工艺技术，此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。

此款测试芯片的成功验证（设计定案完成于2015 年第四季度）是ARM 与台积电持续成功合作的重要里程碑。该验证完备的设计方案包含了IP、EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积电较先进的FinFET 工艺完成设计定案。此外，SoC 设计人员还能利用基础 IP模块 (包括标准组件库、嵌入式内存及标准 I/O) 开发较具竞技争力的 SoC，以达到较高效能、较低功耗及较小面积的目标。

ARM执行副总裁兼产品事业部总裁Pete Hutton表示：“高级移动应用 SoC 设计的首项指导原则就是能效，因为现今市场对设备性能的要求越来越高。台积电的 16纳米FFLL+ 工艺与 ARM Cortex^®处理器奠定了能效的新标准。我们与台积电在10纳米FinFET工艺技术上的合作，可确保在SoC层面上的效率，使我们的芯片合作伙伴在维持严苛的功耗标准的同时能够有更大空间实现创新。”

台积电研发副总裁侯永清表示：“通过与ARM 合作，使我们在工艺和IP 的生态系统上能快速进展，并加速客户的产品开发周期。通力协作，我们正在定义能够持续促进移动市场发展的处理器技术。较新的成果就是结合 ARM 处理器与台积电10纳米FinFET 技术，为各种尖端移动和消费电子产品的终端用户带来崭新体验。”

此款较新的测试芯片是 ARM 与台积电长期致力于先进工艺技术的成果，基于 2014 年 10 月宣布的首次 10纳米FinFET 技术合作。ARM与台积电共同的IC设计客户也获益于早期获得 ARM Artisan^®物理 IP 与ARM Cortex-A72 处理器的 16纳米 FinFET+ 设计定案，此款高效能处理器已被当今多款市场主要和畅销计算设备采用。

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ARM与台积电的重大合作

• 针对高性能计算7纳米 FinFET工艺 ARM与台积电签订长期战略合作协议 (2016 年 3 月)

• ARM与台积电公司共同公布采用10纳米FinFET工艺的64位ARM架构处理器发展蓝图 (2014 年 10 月)

• 台积电公司与ARM合作率先完成64位ARM big.LITTLE技术FinFET硅芯片的验证缔造效能与功耗的新标竿(2014年 9 月)

• ARM针对台积公司28纳米HPM和16纳米FinFET工艺技术发布Cortex-A50系列POP IP产品 (2013 年 4 月)

关于ARM

ARM致力于研发半导体知识产权、并已成为全球先进数字产品的核心。ARM的技术驱动了新市场的发展与产业和社会的转型，并无形地为全球网络用户创造新机遇。其低功耗且可弹性配置的处理器及相关技术为任何需要计算功能的领域加入智能功能，应用范围横跨传感器到服务器，覆盖智能手机、平板电脑、数字电视、企业级基础架构与物联网应用。

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