英飞凌800 V CoolMOS™ P7系列设立效率和散热性能的新基准

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德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出800 V CoolMOS™ P7系列。该800 V MOSFET基于超级结技术，兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用，可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式拓扑，这种拓扑常见于适配器、LED照明、音频、工业和辅助电源等应用。

800 V CoolMOS P7系列可将效率提高较多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品，这相当于将MOSFET温度降低2到8 °C。这个新基准源于一系列优化器件参数，包括Eoss和Qg降低50%以上，以及降低Ciss和Coss。这些出色的性能优化可以降低开关损耗,改善DPAK封装能实现的较低 RDS(on)值，从而实现更高功率密度的设计。总而言之，这有助于客户节省物料成本，减少组装工作量。

易用性是这个产品家族从设计上就实现的固有特性。其集成式齐纳二极管可大幅提升静电防护能力，从而减少与静电放电有关的产量损失。这个MOSFET拥有行业领先的高达3 V的V(GS)th和仅±0.5 V的较小VGS(th)波动范围。这个组合不仅可以降低驱动电压和开关损耗,还它有助于避免线性区内发生意外操作。

供货情况

800 V CoolMOS P7 MOSFET家族将提供12个RDS(on)级别和6种封装，以全面满足目标应用的需求。RDS(on)为280 mΩ、450 mΩ、1400 mΩ和4500 mΩ的产品现已可订购。如欲了解更多信息，请访问www.Infineon.com/p7。

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英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2015 财年（截止 9 月 30 日），公司的销售额达 58亿欧元，在全球范围内拥有约 35,400 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

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英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。