三星DDR3芯片产量将上升

SAN FRANCISCO—三星电子公司4月21日表示，由于英特尔公司Xeon处理器5500系列的推出，对50纳米级的DDR3内存芯片的需求也大幅度的增加。

DDR3是第三代双倍速同步内存。三星和其他生产厂商都认为在今年底，DDR3将成为主流DRAM技术。一些分析家，其中包括Needham &Co公司的分析师莫克(Edwin Mok)则认为，DDR3在今年将不能占有有意义的市场份额。

三星（韩国）表示，OEM厂商绝大多数都把他们的DDR3应用于服务器领域，每个服务器的内存较大可以扩展到192GB，而且在双路服务器系统（速度可达每秒133mb）中，还改善了耗电量，可以降低60%的功耗，性能比之前的DDR2提升很多。

三星公司美国内存营销副总裁Jim Elliott在三星半导体公司一份声明中提到“配合Xeon处理器5500系列的使用，在几乎所有企业级服务器应用中，DDR3内存有可能显著提高其数据交换的速率。”

就在上月，英特尔公司推出了原代号为Nehalem 的45纳米Xeon 5500系列处理器，其处理器是针对于服务器的。Xeon 5500芯片集成了内存控制器和高速互连功能。

据三星公司表示，第四十个50纳米级的三星DDR3解决方案已经成功的应用于英特尔5500处理平台上。而且三星的DDR3设备，已通过英特尔的验证程序，其中包括： 1-，2 GB的内存芯片，以及1 - ， 2 - ， 4 - ， 8 -和16 GB的注册双列直插式内存模块（DIMM内存）和1 - ， 2 -和4 - GB的无缓冲DIMM内存。

新认证的DDR3芯片按照每秒运行时速可分为800-，1066-和1333MB三个型号，而且在1333Mbps下，和60纳米级的DDR3内存芯片相比，可省电百分之四十。

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