业界首款带集成电流保护和高速ESD保护的USB 2.0过压保护器件

2009年04月29日18:29:54 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电(ESD)保护的过压保护(OVP)器件——NCP362，用于便携、电信、消费和计算系统中的USB 2.0应用。

这集成器件加强USB端口的安全性，简化便携电子产品的设计，不需要使用独立的OVP、过流保护(OCP)及瞬态电压抑制器(TVS)等元件; NCP362未面市前，设计人员仍需要采用这些元件来保护易受影响的便携设备，使其免受源于USB主设备(host)、墙式适配器、人体及不恰当的修配用零件市场的交流-直流(AC-DC)适配器的电气浪涌损伤及放电脉冲影响。

特性及优势

新的NCP362置于USB或底部连接器后面，由于具备能够处理500毫安(mA)电流的集成功率MOSFET，为下行USB端口提供+20伏特(V)的前端保护。

由于USB线缆中存在串行电感，长的USB线缆中可能产生振铃(ringing)，所以NCP362的设计，可在电压瞬态超过内部设定为5.675 V的内部过压阈值(OVLO)时，使VBUS线路开路。如果特定应用需要不同阈值，还能采用金属调整(metal tweak)来改变这阈值。此外，NCP362还提供OCP，如果下行VBUS的负载超过750 mA，内部MOSFET就会开路，且支持USB端口 500 mA的持续电流。这电流钳位值也能调节至较低的值，配合100 mA单端口或双端口。

NCP362的OVP和OCP速度都非常快，响应时间短于100纳秒(ns)，为下行收发器、电池充电器件或要充电的锂离子电池提供高效的保护水平。此外，NCP362提供系统级IEC 61000-4-2 ±15千伏(kV) ESD保护。这器件集成高速ESD二极管用于数据线路(D+和D-)保护，和TVS用于USB端口的VBUS引脚保护。由于集成的ESD二极管的电容极低，仅为0.5皮法(pF)，因而NCP362符合USB 2.0协定。NCP362x包含不同的器件型号，但都采用相同封装，根据所选择的具体器件型号的不同(参见产品数据表中的订购表)，封装中都集成了VBUS TVS或D+/D- (或集成两者)。

NCP362是安森美半导体针对便携应用四个常见主要子系统产品阵容新增的主角。这器件尤其解决互连子系统具挑战的要求。除了互连子系统，安森美半导体还提供用于便携设备中的显示和照明、电源管理和音/视频三个主要子系统的方案。

封装和价格

NCP362xMTBG采用2 mm x 2.5 mm x 0.55 mm DFN、无铅、符合RoHS指令的封装，每3,000片批量的预算单价为0.42美元。

更多信息请访问www.onsemi.cn或联系Helene Acrosse(电邮：Helene.Acrosse@onsemi.com)。

关于安森美半导体(ON Semiconductor)

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列，是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高性能、高能效硅方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器(DSP)、混合信号、先进逻辑、时钟管理、非易失性存储器和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务网络。欲查询公司详情，请浏览安森美半导体网站：www.onsemi.cn。

业界首款带集成电流保护和高速ESD保护的USB 2.0过压保护器件

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