Cree将量产业界较高水平LED
国际LED大厂Cree日前宣布自2009年第3季起开始量产目前业界较高水平,光通量达139 lm的Xlamp XP-G LED。Cree在5日于纽约开展的Light fair照明展中展示该产品。
Cree该款冷白光LED总光通量达139 lm,在350mA电流输入下,发光效率达132 lm/W,在1A电流输入下,发光效率达345 lm/W,芯片尺寸为3.45x3.45mm,目前Cree已开始送样给客户试单中,预定于2009年第3季起进行量产。
Cree LED零组件营销总监Paul Thieken表示,该款产品专为对LED亮度及效率有较高水平需求之顾客所打造。
目前Cree已可量产的较高效率为107 lm/W的冷白光LED及87 lm/W的暖白光。业界普遍认为LED照明如要切入室内照明主灯源市场,在技术部分,必须要能以150 lm/W量产品为目标。Cree近期的进展,无疑为LED切入室内主照明市场时程,往前推进一大步。
近期除了Cree在高功率LED的量产时程有新进展外,日前Philips Lumeileds也宣布量产发光效率较少为100 lm/W之高功率LED。而台厂龙头晶电的高功率LED于2008年第4季在实验室已达到100 lm/W的水平,预定在2009年上半可望导入量产。
另外,各LED业者的高功率LED研发进展部分,也履有突破,其中Cree及欧司朗(Osram)在2008年底已分别发表在实验室发光效率达161 lm/W及136 lm/W之LED芯片。而Philips Lumeiled则是达115 lm/W。
日亚化学(Nichia)则是以小功率见长,2009年初成功研发出业界较高光通量之小功率白光LED芯片。在20mA电流下,其发光效率可达249 lm/W,至350mA时,其发光效率却降至145 lm/W。
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