采用PowerWise LMX2541 芯片后，LTE和WiMAX基站就无需加设体积大且造价贵的本振模块

美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代码：NSM)宣布推出一款业界较低噪音且高度集成的频率合成器。这款PowerWise® LMX2541 芯片的噪音极低，以 2.1GHz 频率操作，均方根噪声不超过2mrad；以3.5GHz频率操作，均方根噪音不超过3.5mrad。而且，这款芯片的频带内锁相环噪声及杂散信号都比同类产品低10dB。

LMX2541芯片的另一特点是可以取代本振模块，尤其适用于LTE、WiMAX等新一代的基站射频收发器，同时可支持多个不同标准的射频系统。LMX2541芯片可与LMK04000时钟抖动滤除电路配合使用，大幅改善系统的EVM，有利于提高接收器的灵敏度及发送器的频谱纯度。

LMX2541频率合成器共有六个频率各不相同的型号。整个频率覆盖范围也较宽，较低可达31.6MHz，较高可达4000MHz。另外，LMX2541芯片可与美国国家半导体的ADC16V130高速模拟/数字转换器、LMH6517数字可变增益放大器以及LMK04000时钟去抖电路配合使用。这个搭配可有效提高信号传输通道的整体能源效率以及载波容量。

内置压控振荡器的LMX2541频率合成器：

主要技术规格

LMX2541作为一款高度集成的芯片，内置超低噪声delta-sigma 小数 N 锁相环、压控振荡器、分频器以及输出驱动器。内置锁相环的规格化噪声低至只有-225dBc/Hz，而且无论采用整数模式还是分数模式，锁相环都能以高达 104MHz 的鉴相频率(即比较频率)操作。另外，通过重新设定锁相环的寄存器，可将锁相环与外置压控振荡器搭配使用。LMX2541芯片还具备其他先进的功能，例如，可编程输出功率、调制数字频移键控(FSK)、减低周期滑移的快速锁定(FastLock)模式以及内置低噪声输入晶体振荡器等等。

此外，LMX2541芯片内置必要的对准电路，确保多颗低压降稳压器及输出驱动器可以在操作时互相配合，从而可以提高抵抗电源噪声干扰的能力，并增强系统的稳定性，还可减少外置元器件的数目。LMX2541芯片适用于3.15V至3.45V之间的供电电压，但如采用3线的MICROWIRE® 总线接口电压较低可达1.8V。

LMX2541芯片采用美国国家半导体领先业内、并已注册专利的PLLatinum® 架构及封装技术。这款芯片采用了美国国家半导体的高性能硅锗(SiGe) BiCMOS-8 工艺技术制造，由该公司位于美国缅因州南波特兰的芯片厂生产。

价格及供货情况

LMX2541芯片采用36引脚的LLP® 封装，大小只有6mm x 6mm，已有样品供应，并定于 2009年第四季开始批量供货。LMX2541芯片以1,000颗为采购单位，单颗价为9.50美元。如欲进一步查询相关资料或订购样品及评估电路板，可浏览 http://www.national.com/pf/LM/LMX2541.html 网页。