您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:电子应用网 > 新闻中心 > 正文

法国Alchimer将TSV金属镀膜成本“降至65%”,有凹凸的内壁也可均匀成膜

2009年07月21日10:23:52 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T
关键字:应用 

    法国Alchimer S.A.面向三维元件中使用的TSV(硅通孔)成功开发出了低成本成膜技术。可将基于TSV的布线形成用金属薄膜的形成成本降至现有工艺的65%。

  之所以能够实现上述结果,是因为采用了该公司基于特殊有机材料的湿法成膜技术“Electrografting”。该技术可直接利用现有的镀膜装置。无需CVD等干法工艺中采用的高价位成膜装置,装置的折旧成本大幅降低。

  普通的TVS一般在通孔的内壁形成绝缘膜、阻挡膜、籽晶膜和金属膜,而此次的方法可应用于上述各种成膜工序。另外,即使是采用1:18的高纵宽比的通孔和Bosch工艺制造的带有凹凸的内壁,也可均匀成膜。

相关阅读:

    没有相关新闻...
网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2026 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号