三星开始量产基于40nm工艺的2Gbit DDR3型DRAM

      韩国三星电子（Samsung Electronics）2009年7月20日宣布，基于40nm工艺的2Gbit DDR3型DRAM已经开始量产。三星电子2009年1月完成了DRAM量产用40nm工艺技术的开发，并于同年2月应用到了1Gbit DDR3型DRAM的量产中（参阅本站报道）。与采用50nm工艺相比，40nm工艺量产的生产效率可提高约60％。

　　三星电子此次量产的DRAM，其数据传输速度为较大1.6Gbit/秒。工作电压为1.35V。采用新工艺生产的芯片，除了将面向服务器以16Gbit/8Gbit/4Gbit的RDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）形式供应外，还将作为面向工作站和台式个人电脑的UDIMM（Unregistered Dual In-line Memory Module）以及面向笔记本电脑的SODIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules）以扩大销售。

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