IR 25V IRF6718 为动态ORing和热插拔应用提供较低通态电阻

2009年08月11日14:17:17 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界较低的通态电阻 (R_DS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到较佳效果。

IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型为0.5mΩ），同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，从而大大提高整体系统的效率。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封装的器件，与同类器件相比拥有更低的通态电阻，可实现卓越的效率及热性能，适合于高密度DC-DC应用，如比D2PAK尺寸更小的服务器。另外，该器件还有助于节省电路板空间及整体系统的成本，因为在特定功率损耗下，它比现有解决方案使用更少的器件。”

此外，IRF6718为电子保险丝及热插拔电路实现了改善的安全工作区（SOA）能力。该器件采用无铅设计，并符合RoHS标准。

IRF6718是IR针对DC开关应用的25V DirectFET系列的衍生产品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也适合DC开关应用，并且在各自的PCB尺寸内提供业界较佳的通态电阻。

产品的基本规格：

器件编号	典型RDS(on) @10V (mΩs)	典型RDS(on) @4.5V (mΩs)	VGS (V)	ID @ TA=25ºC (A)	封装面积 (mm x mm)	典型RDS(on) @10V x 面积 (mΩ x mm2)
IRF6718	0.5	1.0	+/-20	61	7 x 9.1	31.9
IRF6717	0.95	1.6	+/-20	38	4.9 x 6.3	29.3
IRF6713	2.2	3.5	+/-20	22	3.8 x 4.8	40.1

上述器件的数据及应用说明已在IR的网站www.irf.com提供。

IR已开始接受量产订单。

IR 25V IRF6718 为动态ORing和热插拔应用提供较低通态电阻

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