飞兆半导体MicroFET™采用薄型封装瞄准电池充电和功率多工应用

飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。

相比传统MOSFET器件，FDFMA2P859T具有出色的功率耗散和传导损耗特性，且其封装高度为0.55mm，比行业标准0.8mm MicroFET降低了30%，适用于在较新的便携式手机、媒体播放器和医疗设备中常见的薄型设计。

FDFMA2P859T专为满足客户的设计需求而开发，在紧凑的占位面积中提供了出色的热性能，并确保肖特基二极管在Vr=10V下保持1µA的极低反向泄漏电流(lr)。这些特性都能够大大提升线性模式电池充电和功率多工应用的性能和效率。

FDFMA2P859T是飞兆半导体广泛的MOSFET产品系列的一部分，此系列的特别设计能够满足当今和未来设计之效率、空间和热性能需求。

价格 (订购1000个，每个):  0.39美元

供货: 现提供样品

交货期: 6至8周

编辑注：产品的 PDF 格式数据表可从以下网址获取：

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFMA2P859T.pdf

相关阅读:

• ...2015/11/24 11:17·安森美半导体以24亿美元现金收购飞兆半导体
• ...2014/04/08 11:29·RS与飞兆半导体合作提供评估板
• ...2013/07/18 18:45·飞兆半导体公司的下一代TinyBuck™负载点调节器以96%的满载效率提供高达15A的输出电流
• ...2013/05/20 10:07·飞兆半导体将通过Camstar制造平台实现全球标准化
• ...2013/04/25 20:58·飞兆半导体集成式低边栅极驱动器以5引脚SOT 23封装内置有3.3V低压降稳压器
• ...2013/04/08 16:06·飞兆半导体在与Power Integrations诉讼上诉中获得有利裁决