英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

英飞凌科技股份公司今天宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。

通过广泛的半导体技术专利交叉许可，双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议，飞兆半导体将向英飞凌支付许可费，但协议的具体条款和条件保密。

英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院，双方已经达成和解，并将申请撤诉。

作为半导体行业的全球领袖，英飞凌目前正在和多家半导体公司进行专利许可谈判。英飞凌认为，这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。

关于英飞凌

总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2008财年（截止到9月份），公司实现销售额43亿欧元，在全球拥有约29,100名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场（OTCQX）International Premier（股票代号：IFNNY）挂牌上市。

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