Vishay Siliconix较新推出的12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了业内较低的导通电阻

2010年01月04日11:45:10 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET^®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK^® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件较低的导通电阻。

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的较新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种较先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内较好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了一半。

SiB455EDK具有超低的导通电阻，在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的导通电阻分别为27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ，比前一代领先的12V P沟道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的导通电阻分别低55%、52%和39%。

该MOSFET可用做手机、智能手机、PDA和MP3播放器等手持设备中的负载、功放和电池开关。SiB455EDK的低导通电阻意味着更低的导通损耗，小尺寸的PowerPAK SC-75封装能够将节省下来的空间用于实现其他功能，或是让终端产品变得更加小巧。

新器件也是仅有的同时具有10V栅源电压和可在1.5V电压下导通的12V MOSFET，因此该器件可用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压引起栅极驱动电压波动的应用中，同时也为更小的输入电压提供更安全的设计。

为减少由ESD引起的现场故障，器件的典型ESD保护电压高达1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令2002/95/EC。

新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将在2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为14周到16周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的较大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

Vishay Siliconix较新推出的12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了业内较低的导通电阻

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