缩小DC/DC解决方案尺寸是大势所趋

——德州仪器推出面向高电流DC/DC应用、显著降低上表面热阻的功率MOSFET

德州仪器（TI）中国区电源产品业务拓展工程师吴涛在北京发布其面向高电流DC/DC应用、显著降低上表面热阻的功率MOSFET时表示：“缩小DC/DC解决方案尺寸是一个发展趋势。首先，许多标准架构（PCI、ATCA）、电信及服务器机柜设备都具有固定的支架/机柜尺寸和电源预算；其次，PCB密度的日益提高支持设计人员实现其产品的独树一帜；而较大的需求是在不降低效率和性能的情况下提高POL的功率密度。

吴涛说，德州仪器此次发布的DualCool™ NexFET™功率MOSFET使得功率转换产生的热量能通过对流冷却从顶端散出，不但提高了功率密度、电流承受能力，同时增强了系统稳定性。”

第一个顶部散热的标准尺寸功率MOSFET

DualCool™ NexFET™ 功率MOSFET是业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，它有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高50%，并改进散热管理。

该系列包含的5款NexFET器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的MOSFET可广泛用于各种终端应用，其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。

图1：通过封装比较凸显顶端散热能力

吴涛指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的DC/DC电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET功率MOSFET能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”

顶端散热的优势

·DualCool NexFET功率MOSFET作为单相35A同步降压转换器的MOSFET，采用一个MOSFET即可满足高电流DC/DC应用中的高、低侧两种开关需求；增强型封装技术可将封装顶部热阻从10-15℃/每瓦降至1.2℃/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升80%；高效的双面散热技术可将允许通过FET的电流提高50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器；业界标准5毫米x6毫米SON封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5x6封装相比，可节省30mm²的空间。

图2：实际运行条件下的散热比较（CSD16321Q5C）（PD= 2.1W，空气流量= 300LFM）

收购节能技术，开发高效电源解决方案

较近，德州仪器还宣布收购了高频率高效率电源管理半导体领先设计商CICLON半导体器件公司。通过此次收购，TI将进一步改进包括高功率计算与服务器系统等在内的众多终端设备设计的用电效率。

CICLON半导体器件公司是一家高频率、高效功率MOSFET与RF LDMOS无晶圆供应商，其半导体解决方案可充分满足高性能应用的需求。

采用CICLON业界先进电源管理技术的设计人员可将电源系统的工作频率进行倍频，实现高达90％以上的效率，而封装外形则比当前电源缩减了20%。该公司名为NexFET™ 的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术可通过大幅减少栅极电荷提高上述性能并优化尺寸。

吴涛告诉记者：“CICLON精深而广博的专业技术与TI业界领先的电源管理半导体产品系列强势结合，使我们能够在解决客户复杂电源设计技术难题方面获得巨大优势。”

www.ti.com.cn

相关阅读:

• ...2010/05/05 10:10·缩小DC/DC解决方案尺寸是大势所趋