IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET，适用于ORing和电机驱动应用

2010年03月11日14:23:32 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET^®功率MOSFET，其中包括能够提供业界较低导通电阻 (R_DS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

这些新的功率MOSFET采用IR较先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的R_DS(on)，在4.5V Vgs下，较高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借在基准MOSFET技术方面的丰富经验和不断努力，IR推出了结合我们较新一代芯片与PQFN封装技术的MOSFET系列，实现了业界领先的R_DS(on) ，继续开创卓越性能的先河。此外，在未来几个月，我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN基准MOSFET产品，以满足客户的需求。”

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on)，较高只有1.15mΩ，且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF的较高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 达到了 50nC。

如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求，比现有解决方案使用更少的元件，节省电路板空间及成本。

所有这些新器件均具有低热阻 (<0.5°C/W)，并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平，也不含铅、溴化物和卤素，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

IRFH6200TRPbF产品规格

器件编号	封装	电压	较大Vgs	Rdson max @ Vgs=4.5	Rdson max @ Vgs=2.5	Id @ Tc=25
IRFH6200TRPbF	PQFN 5x6mm	20 V	±12V	1.2 mΩ	1.4 mΩ	100 A

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF产品规格

器件编号	封装	电压	Rdson max @ Vgs=10	Rdson max @ Vgs=4.5	Qg typ @ Vgs=4.5	Id @ Tc=25
IRFH5250TRPbF	PQFN 5x6mm	25 V	1.15 mΩ	1.7 mΩ	52 nC	100 A
IRFH5300TRPbF	PQFN 5x6mm	30 V	1.4 mΩ	2.1 mΩ	50 nC	100 A
IRFH5301TRPbF	PQFN 5x6mm	30 V	1.85 mΩ	2.9 mΩ	37 nC	100 A
IRFH5302TRPbF	PQFN 5x6mm	30 V	2.1 mΩ	3.5 mΩ	29 nC	100 A

有关产品现正接受批量订单。这些新器件的数据表和应用说明已刊登于IR的网站www.irf.com。

IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET，适用于ORing和电机驱动应用

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