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Ramtron 1兆位串行F-RAM提升至满足汽车标准要求

2010年06月08日09:56:19 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T
关键字:应用 半导体 汽车 医疗 

低功率、高性能F-RAM器件达到AEC-Q100 Grade 3标准要求

世界顶尖的低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation 宣布其1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V 串行F-RAM存储器 FM25V10-G,业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证,这一严格的汽车等级认证,是汽车电子设备委员会 (Automotive Electronic Council) 针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramtron公司符合AEC-Q100标准的存储器产品已增加至15种,这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证确保器件能够在 -40℃ 到 +80℃ 的汽车使用温度范围内正常工作。

 

FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员,具有2.0V至3.6V 的宽工作电压范围。它是1兆位串行SPI器件,工作电流为3.0mA (40MHz下的Idd),采用工业标准8脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz 全总线速率下工作,具有无延迟 (NoDelay™)  写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中,1兆位串行闪存和串行EEPROM 存储器的理想普适型 (drop-in) 替代产品。

 

Ramtron市场推广经理Mike Peters评论道:“这项认证表明我们这个密度较高的产品符合汽车等级标准。在V系列产品线中增加达到Grade 3标准的产品,使得我们能够在4kb至1Mb的整个密度范围内,为汽车客户提供高功效、高性能的非易失性存储器产品。”

 

关于F-RAM V系列

 

Ramtron公司V系列F-RAM产品包括多种串行I2C存储器、串行SPI存储器和并行存储器。V系列产品能够实现更好的技术规格和更多的功能集。串行V系列产品备有可选的独特的64位序列号,由一个16位客户ID、一个40位制造序列号,以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成,提供了更高的安全性。

 

Ramtron 现提供符合 RoHS 标准的8脚SOIC封装FM25V10-G器件,订购1万片FM25V10-G 或具有独特序列号器件 (FM25VN10-G),起价分别为每片 5.05 美元和5.19美元。

 

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