美光科技推出第三代低延时内存

美光与领先芯片组和定制ASIC设计公司合作开发高带宽、低延时网络解决方案

2010年7月14日， 北京讯 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM^R 3内存)—一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度，同时较大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。

美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle说：“随着互联网内容消费的不断增长，人们日益需要有一种能支持网络流量增长的技术，美光的RLDRAM 3内存满足了这种需求”。

对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供较高水平的技术支持，并计划长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm工艺，提高系统性能，降低功耗。

RLDRAM 3内存产品特点

美光新的RLDRAM 3内存的主要特点及优点有：

• 低延时：tRC不足10纳秒，是业界较低的随机存取延时
• 高密度：576Mb-1Gb，灵活性高，可用于多种设计
• 高速率：达2133Mb/s，数据存取速度更快
• 高能效：1.2V IO和1.35V内核电压，更省电

构建RLDRAM 合作伙伴网络

美光维持着庞大的合作伙伴网络，使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。美光与其合作伙伴展开了广泛合作，为客户提供量身定制的解决方案，优化网络系统性能。作为这个价值生态系统的一部分，美光目前合作的领先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。

Altera组件产品营销资深总监Luanne Schirrmeister说：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化数据通路，针对美光内存设有高性能、低延迟接口。RLDRAM 3内存的发布让我们的内存带宽可高达1600 Mbps，为行业内较高速度，大幅降低了延时。美光新的存储产品搭配Altera新的内存接口架构是一项重要技术成果，是我们与美光多年技术合作的一项巅峰之作。”

Xilinx应用和技术营销资深总监Rina Raman说：“Xilinx 7系列FPGA应用于较高级的网络设备，用于满足全世界对带宽无止尽的需求。我们与美光合作，支持其新的RLDRAM 3技术，让我们的客户能够开发网络平台，来满足较严格的基础设施需求。”

产品可用性

美光预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样，目前正与客户合作，征求其对RLDRAM 3内存设计的意见。此外，美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。

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关于美光科技(Micron Technology, Inc)

美光科技是世界领先的先进半导体解决方案提供商之一。美光依托全球性运营，制造和销售一系列DRAM、NAND和NOR闪存、以及其他创新存储技术、包装解决方案和和半导体系统，用于前沿计算、消费、联网和移动产品。美光的普通股在NASDAQ上市交易，代码为MU。欲了解有关美光的更详尽信息，请访问www.micron.com。

美光的logo请见：http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950。

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