SiGe半导体提交首次公开募股Form S-1注册声明
在广泛的应用领域中实现无线连接能力的全球领先高集成度射频(RF)半导体前端解决方案供应商 SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor) ,宣布已向美国证券交易委员会(Securities and Exchange Commission)提交普通股首次公开发行计划的Form S-1注册声明,至于这次发行的股份数量和价格范围则尚未确定。
Barclays Capital Inc.、Deutsche Bank Securities Inc.和Jefferies & Company, Inc.将担任这次发行的联合承销商(book-running manager)。Canaccord Genuity Inc.、Needham & Company, LLC和Raymond James & Associates, Inc.则担任副承销商(co-manager)。
初步募股说明书将于稍后发表,并可从以下渠道获取: Broadridge Financial Solutions 转 Barclays Capital Inc.,地址:1155 Long Island Avenue, Edgewood, NY 1171;电话:888-603-5847 或电邮:barclaysprospectus@broadridge.com;Deutsche Bank Securities Inc.,地址:100 Plaza One, Jersey City, New Jersey 07311,联络:募股说明书部门 (Prospectus Department),电话:800-503-4611或电邮:prospectus.cpdg@db.com;Jefferies & Company, Inc.,地址:520 Madison Ave., 12th Floor, New York, NY 10022,联络:资产联合募股说明书部门(Equity Syndicate Prospectus Department),电话:877-547-6340,电邮:Prospectus_Department@Jefferies.com。
关于这些公开发行股票的注册声明已经提交至美国证券交易委员会,但还未生效。在注册声明生效前,这些证券不得出售或出价认购。本新闻稿并不构成销售或诱使购买的邀约,亦不构成在美国任何州销售发行股票的邀约,根据美国各州的证券法,在注册或取得资格之前出价、诱使购买或销售将均属非法行为。
关于 SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor, Inc)
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor, Inc) 是在广泛的应用领域中实现无线连接能力的全球领先高集成度射频(radio frequency, RF)半导体前端解决方案供应商。公司的创新解决方案将多种RF功能集成进单个半导体器件中,实现性能、功率输出和效率以及小体积的较佳结合。SiGe 半导体广泛地使用基于硅材料的标准半导体技术,配合无晶圆运作的模式,实现功能性的高度集成、利用大规模生产技术提供成本效益、维持低成本以及快速上市的能力。SiGe 半导体至今已付运超过五亿个前端解决方案,主要为Wi-Fi™前端模块以及功率放大器。
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