业界较快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS新增更低Ron、更低Qg的“R60xxMNx系列”
有助于变频空调等电机驱动应用显著节能
<概要>
此次开发的“R60xxMNx系列”通过优化ROHM独有的芯片结构,在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基础上,还成功地使Ron※2和Qg※3显著降低。由此,在变频空调等电机驱动的应用中,轻负载时的功率损耗与以往的IGBT相比,降低约56%,节能效果非常明显。
不仅如此,“R60xxMNx系列”利用ROHM多年积累的模拟技术优势,还实现了超强的短路耐受能力,减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险,有助于提高应用的可靠性。
本系列产品已于2016年12月份开始以月产10万个规模投入量产,前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),后期工序的生产基地为ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.(韩国)。
今后,ROHM将继续开发凝聚了ROHM模拟设计技术优势的高性能、高可靠性产品,不断为社会的进一步节能贡献力量。
<背景>
近年来,节能化趋势日益加速,随着日本节能法的修订,家电产品倾向于采用更接近实际使用情况的能效标识APF(Annual Performance Factor)※4,不再仅仅关注功率负载较大的设备启动时和额定条件下的节能,要求负载较小的正常运转时更节能的趋势日益高涨。据称,在全球的电力需求中,近50%被用于驱动电机,随着空调在新兴国家的普及,全球的电力局势逐年严峻。在这种背景下,ROHM开发出PrestoMOS,非常适用于要求低功耗化的空调等白色家电和工业设备等的电机驱动,可大大降低应用正常运转时的功耗,满足了社会的节能需求。
<特点>
1.
一般MOSFET具有高速开关和低电流范围的传导损耗低的优点,设备正常运转时可有效降低功耗。“R60xxMNx系列”利用ROHM独有的Lifetime控制技术,不仅保持了业界较快trr性能,而且Ron和Qg更低,非常有助于变频电路的节能。
2.超强短路耐受能力,确保可靠性
3.自导通损耗微小
自导通是指MOSFET在关断状态下,高边主开关一旦导通,则低边MOSFET的漏极-源极间电压急剧增加,电压被栅极感应,栅极电压上升,MOSFET误动作。该现象使MOSFET内部产生自身功率损耗。而“R60xxMNx系列”通过优化寄生电容,可将该损耗控制在非常微小的较低范围内。
空调、冰箱、工业设备(充电站等)
<产品阵容表>
封装 |
用 途 |
品 名 |
极 性 |
VDSS |
ID |
PD(W) |
RDS(on) (Ω) |
Qg Typ. (nC) |
Trr(Typ.) |
驱动电压 |
||
VGS=10V |
||||||||||||
Typ. |
Max. |
VGS=10V |
||||||||||
R60xxMNx系列 |
||||||||||||
TO-252 |
开关 |
R6010MND3 |
N |
600 |
10 |
143 |
0.28 |
0.38 |
20 |
80 |
10 |
|
☆ |
R6008MND3 |
600 |
8 |
115 |
0.45 |
0.61 |
13.5 |
65 |
||||
R6007MND3 |
600 |
7 |
95 |
0.54 |
0.73 |
10 |
60 |
|||||
TO-220FM |
R6030MNX |
600 |
30 |
90 |
0.11 |
0.15 |
45 |
90 |
||||
☆ |
R6020MNX |
600 |
20 |
72 |
0.19 |
0.25 |
30 |
85 |
||||
TO-3PF |
R6047MNZ |
600 |
47 |
102 |
0.06 |
0.081 |
70 |
105 |
||||
TO-247 |
R6076MNZ1 |
600 |
76 |
740 |
0.04 |
0.055 |
115 |
135 |
||||
R6047MNZ1 |
600 |
47 |
440 |
0.06 |
0.081 |
70 |
105 |
☆开发中
另外,产品阵容包括下述封装产品,详情敬请垂询。
<术语解说>
※1 trr : 反向恢复时间
开关二极管从导通状态到完全关断状态所花的时间。
※2 Ron : 导通电阻(Ω)
开关二极管成为导通状态时的电阻值。
※3 Qg : 栅极输入电荷量
MOSFET进行ON/OFF切换时,注入栅极电极所需的电荷量。
※4 APF(Annual Performance Factor)
全年使用家用空调时的能效比。数值越大节能性能越好。
<PrestoMOS>
Presto: 源自意大利语,是表示“极快”的音乐术语。
拥有业界较快trr性能的ROHM独有的功率MOSFET。是实现业界较小开关损耗的产品。
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