意法半导体（ST）展示针对高能效应用的超低功耗技术

2011年04月14日13:37:44 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

新的智能功率半导体技术可大幅降低医疗设备和混合动力汽车充电器的耗电量

中国，2011年4月12日——横跨多重应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）成功展示引领全球的新一代智能功率技术，这项新技术将大幅降低从医疗设备到混合动力汽车充电器等各种电子系统的耗电量。

随着全球市场对电子和电器设备日益增长的需求，以及减少石化燃料发电的趋势，提高终端设备的能效已成为全球电子厂商的研发重点，而这也推动意法半导体研发新一代智能功率技术。

通过与全球领先的医疗设备厂商合作，意法半导体成功研制出超声波扫描仪演示芯片，从而验证了这项新半导体技术商用化的可行性。这款演示芯片可以处理100多个通道，能够满足需要数千个通道的下一代扫描仪的需求。这是目前市场上现有技术所无法实现的高集成度，现有的芯片通常只能处理8个通道。

这项技术是先进欧洲研发专案的开发成果。在欧洲，欧盟通过欧洲纳电子行动顾问委员会（ENIAC）项目以推动企业在这个领域的研发活动。在ENIAC的框架内，意法半导体与其它17家欧洲企业达成SmartPM（家电和医疗设备智能功率管理）联盟，以满足市场对能效的日益提高的需求。SmartPM联盟包括来自比利时，法国，德国，爱尔兰，意大利，荷兰，挪威，西班牙和瑞典9个国家的工商企业和科研机构。SmartPM合作伙伴共同研发创新的半导体技术、电路设计和系统架构。

意法半导体技术研发部副总裁Claudio Diazzi表示：“能够让消费电子和工业设备大幅降低耗电量的半导体技术已在实验室封存多年，虽然这些技术可大幅度降低全球耗电量，但却碍于成本过高而无法投入商用，我们相信这项新的智能功率技术将大幅改变这个局面。”

关于新一代智能功率技术

这项新技术基于意法半导体领导全球的整合的SOI（绝缘层上硅）衬底与0.16微米蚀刻制程的的BCD（双极晶体管—CMOS—DMOS）智能功率半导体技术，让设计人员能够在芯片上整合完全介质隔离的高密度逻辑电路（1.8V和3.3V CMOS）与多种元器件，包括工作电压高达300V的功率MOSFET晶体管、低噪音器件及高阻值电阻，实现传统体硅衬底无法实现的ASIC芯片。

关于SmartPM联盟

SmartPM联盟的研发资金来自ENIAC联合研发项目小组和各种国家级项目/融资机构，包括德国联邦教育与研究部（BMBF），比利时IWT，法国经济、财政及工业部，法国工业处（STSI），爱尔兰企业局，意大利教育部，欧洲科技研究促进署，荷兰创新中心，挪威科技研究委员会，西班牙教育和科学部以及瑞典科技促进局。

有关ENIAC JU和SmartPM联盟的详细信息，请访问网站 www.eniac.eu 和www.smartpm.eu

关于意法半导体

意法半导体（STMicroelectronics；ST）是全球领先的半导体解决方案提供商，为各种应用领域的电子设备制造商提供创新的解决方案。凭借公司掌握的大量技术、设计能力和知识产权组合、战略合作伙伴关系和制造实力，意法半导体矢志成为多媒体融合和功率应用领域无可争议的行业领袖。2010年，公司净收入为103.5亿美元。详情请访问意法半导体公司网站www.st.com

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