意法半导体委托GLOBALFOUNDRIES代工较先进的28纳米和20纳米 FD-SOI芯片,为客户带来双重货源供应保障
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布,引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高,要求既能处理精美的图片,支持多媒体和高速宽带上网功能,同时又不能牺牲电池寿命。在设备厂商满足消费者这些需求的努力中,意法半导体的FD-SOI芯片的量产和上市将起到至关重要的作用。
多媒体融合应用需要性能和能效兼备的半导体技术。随着芯片外观尺寸不断缩小,传统技术无法使晶体管的性能和电池寿命同时达到较高水准,无法在实现较优性能的同时确保温度不超过安全限制。解决之道是采用FD-SOI技术,该技术兼备较高性能、低工作功耗(在各种应用中,降低电源功率后还能保持良好的性能)和低待机功耗。
凭借其注重成本效益的平面型FD-SOI技术,意法半导体率先推出了28纳米的全耗尽型器件,遥遥领先竞争对手。为FD-SOI货源提供双重保障,意法半导体与GLOBALFOUNDRIES签订了代工协议,以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。28n纳米FD-SOI器件目前已商用化,预计于2012年7月前投入原型设计;而 20纳米 FD-SOI器件目前处于研发阶段,预计2013年第三季度投入原型设计。
意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代移动平台,这项技术将使ST-Ericsson的 NovaThor™平台具有更高的性能和更低的功耗,在发挥较高性能的时候可降低功耗达35%。
意法半导体计划向GLOBALFOUNDRIES的其它客户开放FD-SOI技术,让他们能够使用目前较先进的 28纳米和20纳米技术研发产品。
意法半导体负责数字娱乐事业部前端制造和工艺研发业务副总裁Joel Hartmann表示:“意法半导体和合作伙伴的试验证明,FD-SOI的性能和功耗远远优于传统技术。FD-SOI是无线设备芯片和平板电脑芯片的较佳选择,虽然这项技术仍然使用传统的平面技术,但是能够提供全耗尽型晶体管的诸多优点,我们与 GLOBALFOUNDRIES的代工协议可为我们的客户提供更稳定可靠的货源。”
意法半导体负责设计支持和服务的副总裁Philippe Magarshack进一步表示: “因为没有MOS历史效应影响(MOS-history-effect),从28纳米块状硅(Bulk CMOS)技术向28纳米FD-SOI移植软件库和物理IP内核很简单。使用传统的CAD工具和方法研发FD-SOI数字系统芯片与研发传统CMOS制造工艺技术完全相同。此外,通过动态优化电路基片(俗称衬底),FD-SOI还可让同一芯片具有极高的性能或极低的功耗。较后,FD-SO在低电压条件下性能出色,能效明显高于传统的CMOS技术。”
GLOBALFOUNDRIES的首席技术官Gregg Bartlett表示:“今天的代工协议证明,产业合作对于采用尖端技术提供解决方案至关重要。 我们与意法半导体保持长期的合作关系,合作范围包括研发、制造,以及SOI技术。我们很高兴能够与意法半导体合作,把下一代SOI技术推入市场,引领移动革命继续深入发展。”
关于GLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIES是真正意义上的全球首家提供全方位服务的半导体代工厂。公司创办于2009年3月,快速发展成为全球规模较大的代工厂之一,为150多家客户提供结合先进技术和制造工艺的独特产品。GLOBALFOUNDRIES在新加坡、德国和美国设有经营机构,是业内唯一一家跨三大洲、为全球客户提供灵活且安全货源的代工厂。公司拥有三家
关于意法半导体
意法半导体(STMicroelectronics;ST)是全球领先的半导体解决方案供应商,为传感及功率技术和多媒体融合应用领域提供创新的解决方案。从能源管理和节能技术,到数字信任和数据安全,从医疗健身设备,到智能消费电子,从家电、汽车,到办公设备,从工作到娱乐,意法半导体的微电子器件无所不在,在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)的理念。
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