安森美半导体与ICs LLC合作,开发用于军事及航空应用的抗辐射加固ASIC

辐射测试已经显示这些ASIC在遭受超过100 MeVcm2/mg的线性能量转移(LETs)攻击时具备强大的抗单粒子翻转(SEU)及抗单粒子闭锁(SEL)性能，而双端口静态随机存取存储器(SRAM)提供40 MeVcm2/mg的抗双位翻转(DBU)性能。此外，还引入了新颖的RHBD触发器(flip flop)架构，称作自修复逻辑(SRL)。这SRL触发器已经显示出在高达700兆赫兹(MHz)频率时抗单粒子效应的强固性。这些新RHBD IC的首要目标将是高可靠性应用，如太空探索、卫星通信及监控、航空、无人飞行器(UAV)、商用飞机、核能、粒子物理研究及军事装备。

ICs LLC首席执行官(CEO) Joe Feeley博士说：“随着业界迈向更小半导体工艺结构，减轻辐射效应正成为一个日益重要的问题。用于抗SEU的传统RHBD方案并没有为高速电路提供充足的保护，SRL方案则提供充足保护。安森美半导体是解决这重要问题的唯一方案供应商，使客户能够为重要的实时应用生产容错型ASIC。”

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