东芝半导体展示多款电力领域节能环保的功能器件与专利技术
日前,东芝半导体参加了在上海世博展览馆举办的上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2015),以其“Human Smart Community by lifenology - the technology life requires (智社会,人为本,以科技应人类之求)”的企业理念,展示多款电力领域节能环保的功能器件与专利技术,展出产品包括IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)专利产品、MOSFET、光耦产品以及IPD + MCU电机驱动方案等。
在中国市场将扮演更重要角色
在接受记者采访时,东芝半导体事业部技术参事田所雄一(左)表示,随着能源危机制约着现代社会的发展,开发和利用可再生能源是人类立早自身解决能源问题的重要举措之一。东芝作为能源领域引领者,自1875年创始之际坚信使命,秉持“Human Smart Community(智社会人为本)”企业理念:以创新的科技服务于社会,并为创造一个舒适美好的人类生活环境而不懈努力。目前,“能源”(包含能源生成及再利用、输配电等)已成为了东芝三大支柱产业之一,以期面对全球化亟待解决的复杂课题。他强调,半导体,尤其是功率半导体技术是建立智能社区的基础,与人们生活的方方面面密切相关。特别是中国政府较近推出了“中国制造2025”,其中大部分都与东芝的产品和解决方案不谋而合,东芝在未来的中国市场将扮演更重要的角色。
2015年,东芝公司即将迎来创建140周年纪念,在“智社会人为本”的全新企业理念指引下,东芝将继续以领先的技术、产品和高品质服务,推动节能环保与可持续发展事业,为人类打造安心、安全、舒适的智能社会,持续为推动社会进步做出贡献。
新技术助推功率提升
东芝电子(中国)有限公司分立器件战略业务企划统括部总监多田升介绍了本次PCIM Asia展览上的主要展品。其中的重点是作为东芝半导体专利产品的IEGT。他表示,近年来,由于环境、能源、社会和高效化的要求,电力电子设备和系统正朝着应用技术高频化、智能化、全数字控制、系统化及绿色化方向发展。特别是在特大功率领域,东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强结构(IE:Injection Enhanced)”,用于高电压大电流级别的IGBT使其性能碍到大幅提升,实现了低通态电压,有效地实现了大功率变频器的节能,且其优势随着电力市场项目功率等级和电压等级的不断提高,逐步得到了体现和认可。
多田升认为,作为IGBT系列电力电子器件具有良好的发展前景,其具有高耐压、低损耗、高可靠性、易控制等特点,并采用多芯片并联均流等技术,使其在进一步及扩大电流容量方面颇具潜力。
据介绍,目前,东芝半导体的IEGT主要应用于柔性高压直流输电(HVDC)、海上风电、轨道交通、中高压变频器等特大功率电力领域。现在国内市场上已经有以东芝的IEGT作为核心器件成功运行项目。并且,针对不同应用领域的具体需求,东芝半导体有着不同封装的IEGT产品,适用于高速EMU的3.3kV
PMI封装(塑封模块)的IEGT、适用于重型EL的4.5kV PMI封装的IEGT,以及适用于电力机车驱动要求尺寸小、重量轻并节能降耗的3.3kV/1.7kV碳化硅混合模块封装IEGT。另外针对大容量,可靠性要求较高的柔性直流输电,动态无功补偿,海上风电等应用有4.5kV/3.3kV PPI封装(压接式封装)的IEGT。
在本次展览上,东芝半导体面向未来展示了混合型IEGT模块(碳化硅二极管)以及碳化硅MOS模块,在新材料技术方面走在了业界前列。
在光耦方面,东芝半导体还展出了应用于IGBT/MOSFET栅极驱动的光耦,其可以保证高达40kV/μs的共模抑制(CMR)。这些光耦非常适合应用于像逆变器和伺服器等在电噪声环境中的安装应用。东芝半导体在MOSFET方面已拥有十余年的开发与生产经验,能够提供各种封装的低压和中/高压MOSFET产品,并采用较新的工艺技术,从而实现开关电源的高效率。东芝半导体还展出了智能模块IPD与专用驱动芯片MCD相结合的直流无刷BLDC马达解决方案——具有良好的系统稳定性和丰富的系统保护功能,并能够实现零速和顺逆风启动。
http://toshiba.semicon-storage.com/cn/
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