意法半导体（ST）推出新款功率MOSFET，实现更小、更环保的汽车电源

中国，2015年12月23日——意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体较先进、内置快速恢复二极管的MDmesh^TM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计，内部集成快速恢复体二极管（fast body diode）、恢复软度系数更高的换向行为（commutation behavior）和背对背栅源齐纳（gate-source zener）二极管保护功能，是全桥零压开关拓扑的理想选择。

意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr（反向恢复时间） / Qrr（反向恢复电荷）比和恢复软度系数表现较好的功率MOSFET，同时也拥有较出色的高电流关断能量（Eoff），有助于提高汽车电源能效。此外，内部快速体二极管的性能表现亦十分出色，有助于降低EMI电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波器件。MDmesh^TM DM2技术通过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低，从而使能效较大化、终端产品的尺寸较小化。

意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下主要特性：

·        快速恢复体二极管

·        极低的栅电荷量及输入电容，500V D²PAK产品的栅电荷量及输入电容分别为44nC和 1850pF

·        低导通电阻

·        较短的Trr（反向恢复时间）：600V TO-247在28A时是120ns；650V TO-247在48A时是135ns

·        栅源齐纳二极管保护

欲了解更多产品详情，请浏览：www.st.com/mdmeshdm2

关于意法半导体

意法半导体（STMicroelectronics; ST）是全球领先的半导体公司，提供创新先进的产品及解决方案，为人们带来更智能且具有更高能效的电子产品，提升日常生活的便利性。意法半导体的产品无处不在，致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智能城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。意法半导体主张智能科技引领智慧生活（life.augmented）的理念。

意法半导体2014年净收入74.0亿美元，在全球各地拥有10万客户。详情请浏览意法半导体网站www.st.com。

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