600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准

关键字：应用 半导体 汽车 电源 可靠性 

德国慕尼黑讯—凭借600 V CoolMOS™ CFD7，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出较新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和电动汽车充电站等高功率SMPS应用。

该600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势，还兼具高换相稳固性，同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 V CoolMOS CFD7拥有更低的栅极电荷（Qg）和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷（Qrr）比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 V CoolMOS CFD7可为THD和SMD器件提供业内领先的解决方案，从而能够支持高功率密度解决方案。

该600 V CoolMOS CFD7目前已实现量产，样品可供订购。更多信息请访问www.infineon.com/cfd7。

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2016财年（截止9月30日），公司的销售额达65亿欧元，在全球范围内拥有约36,300名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。