恩智浦新概念三路Doherty参考设计亮相

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦成立的独立半导体公司）近日发布了全球较高效的三路Doherty放大器，为节能RF基站树立了新的标准，并拓展了其业界领先的RF功率解决方案系列。

该Doherty电路基于恩智浦特有专利的设计概念，对于多载波W-CDMA信号，其能效水平超过47%，平均功率输出为48 dBm，增益为15 dB，峰均比为8 dB。目前的设计涵盖了W-CDMA标准I频段工作频率，专门面向高产量、调整极小的批量制造而推出。

恩智浦半导体射频功率产品市场总监Mark Murphy表示：“凭借创新的三路Doherty概念，我们将Doherty放大器的优势与我们针对Doherty优化的第七代LDMOS技术巧妙地结合起来，实现了业界较高的能效水平和良好的预失真能力，同时显著节省了成本。LTE等新兴移动通信标准要求高功效放大器，Doherty技术的开发正是为了直接响应客户的这一需求。这样一来，由于实现了创记录的高功效和性能，系统的总功耗将显著降低。”

恩智浦将在2009年度IMS展会上展示首款三路LDMOS Doherty放大器，以及适合微波和广播/ISM应用的其它高性能产品。该展会将于6月9日至11日在美国马萨诸塞州波士顿市举行，恩智浦展台号为2403。恩智浦还将在6月7日至12日举办的2009年度IMS会议上就Doherty技术概念发表演讲。

上市时间和价格

恩智浦即日起提供三路LDMOS Doherty放大器样品。有关恩智浦RF功率解决方案的更多信息，请访问：http://www.nxp.com/experience_rfpower/ 。

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