恩智浦推出全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司）今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有较低的导通电阻R_DSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有较低导通电阻R_DSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。较新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与较新Trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源OR-ring、电机控制和高效同步降压器等。 

恩智浦资深国际市场产品经理John David Hughes先生表示：“在MOSFET制造技术领域，改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新Trench 6工艺中采用创新技术，进一步减小了导通电阻。对客户而言，这一新的Trench技术为他们带来许多优势，例如：提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封装与广为使用的Power SO-8 PCB封装相兼容。”

领先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL，采用Power-S08 (LFPAK)封装时25 V MOSFET的R_DSon是0.9毫欧（典型值），30 V MOSFET的R_DSon达到1.0毫欧（典型值）。 

除了全球较低R_DSon MOSFET之外，恩智浦还宣布推出面向电源、电机控制和工业市场的新产品系列。该系列产品的工作电压为25 V、30 V、40 V和80 V，采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封装。

上市时间：

PSMN1R2–25YL现已上市。

有关恩智浦新型Trench 6 MOSFET器件的数据手册和更多信息，请访问：　 http://www.nxp.com/infocus/topics/lowest_rds_mosfet/index.html

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