意法半导体（ST）推出业界单位芯片面积通态电阻较低的超结器件

全球领先的功率MOSFET器件供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh™ V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻较低的650V MOSFET产品。

意法半导体功率MOSFET产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“MDmesh V 系列产品整合了意法半导体专属的第五代超结技术，和经过应用验证的 PowerMESH™ 水平布局设计，产品性能优于同类竞争产品。无论采用何种封装，业界较低的单位芯片面积RDS(ON)都能提供能效优势。设计人员使用很少数量的MDmesh V器件即可替代多路并联的普通MOSFET网络，提高设计性能，降低总体尺寸。”

这款新器件是STW77N65M5，通态电阻RDS(ON)为38mΩ，采用TO-247封装。意法半导体计划在2010年推出采用Max247封装的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmesh V超结MOSFET技术发布会上，意法半导体公布开发蓝图时曾介绍过这两款产品。STW77N65M5的较大输出电流额定69A，现已全面投入量产。

与常规MOSFET产品和竞争的超结器件相比，意法半导体的MDmesh V技术的单位芯片面积通态电阻较低。更低的损耗给设计带来很多好处，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作温度，较终可提高目标应用的可靠性，如个人电脑和服务器的电源、太阳能转换器、电焊电源和不间断电源设备，导通损耗是影响这些应用能效的要素之一。

在强调超低通态损耗的同时，这些器件还实现了低开关损耗，使各种应用能够在不同的工作条件下提高总体能效。MDmesh V功率MOSFET采用主流的工业标准的封装，包括 TO-220、TO-220FP、I²PAK、D²PAK、DPAK和IPAK。

TO-247封装的STW77N65M5现接受生产订单。

详情请访问：www.st.com/mdmeshv

关于意法半导体

意法半导体是全球领先的半导体解决方案提供商，为各种应用领域的电子设备制造商提供创新的解决方案。凭借公司掌握的大量技术、设计能力和知识产权组合、战略合作伙伴关系和制造实力，意法半导体矢志成为多媒体融合和功率应用领域无可争议的行业领袖。2008年，公司净收入98.4亿美元。详情请访问意法半导体公司网站 www.st.com 或意法半导体中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn

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