基于MCU和ASIC的LED可控硅调光方案对比与解析

作者：钟岩      FAE 世强电讯

作为一种新的、较有潜力的光源，LED照明以其节能、环保的优势越来越受到人们重视。加上国家和地方政府的政策鼓励，我国的LED照明产业进入了加速发展阶段，运用市场迅速增长。在室内照明方面，用LED灯替代传统的可调光白炽灯或者卤素灯也将是大势所趋。由于传统的白炽灯调光器采用可控硅调光器，用LED灯替代白炽灯时，要求不能改变原有线路，还要能适应现有的可控硅调光器。针对这一目标市场，目前很多大的半导体厂商（包括国际知名半导体厂商）都已经推出了自己的LED调光ASIC，但由于LED固有的发光原理，目前市面上的LED ASIC调光案都还不是很成熟，都有其固有的问题，本文就将针对目前的调光方案做一个详细的分析，并介绍我们基于MCU的调光方案。

1 LED的发光特性
目前的新技术使LED能够达到很高的功率水平，LED的功率能够达到1W，甚至有些达到5W，光效达到60-85LM/W，这种LED设备称为高亮LED(HB-LED)。目前我们用在照明上LED都是HB-LED，一般都是选择1W的LED通过串并联的方式组成大功率LED灯，尤其以串联为主。这种LED的为3.4V±2%，正向电流为350mA左右。其-曲线如图1.1所示。

图1.1 LED — 曲线
从图1中可以看出，当加在LED两端的电压没有达到3.4V之前， 随着的增加而增加。当加在LED两端的电压达到3.4V时，的变化很小，增加LED两端的电压只会增加流过LED的电流，从而改变LED的亮度，直到增加到LED的较大(350MA)，LED达到较大亮度。而一直被箝位在 (3.4V)左右。并且会随着温度和LED工作时间的变化而变化，变化曲线如图1.2所示。

图1.2 相对变化对温度的变化曲线
从图1.2可以看出，随着温度的上升，